Infineon plant für die Elektromobilität

München. Der Halbleiterhersteller Infineon arbeitet an der nächsten Generation von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliciumcarbid (SiC) für Anwendungen im Bereich der E-Mobilität. Mark Münzer, bei den Münchnern verantwortlich für den elektrifizierten Antriebsstrang, rechnet mit ersten Serienanwendungen für das Jahr 2017 oder 2018.

Eingesetzt werden solche SiC-Halbleiter zunächst für Lösungen bei der Ladeinfrastruktur von Batterien. Ein weiteres mögliches Einsatzgebiet sind Inverter, die den Leistungsfluss zwischen Batterie und Motor regeln.

Inverter zählen zu den bauraumkritischen Teilen. Durch denSiC-Einsatz lässt sich zum einen der Kühlungsaufwand reduzieren, zum anderen können Komponenten wie der Kondensator im Umrichter kleiner ausfallen. Münzer rechnet mit dem SiC-Einsatz bei Umrichtern von E-Autos aus dem Premiumbereich ab 2020.

Zu den Stärken von Siliciumcarbid – eine chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff – gehören zudem eine hohe Temperaturbeständigkeit und geringe Verluste während der Energiewandlung.

SiC ist aber nicht nur für die Autoproduktion interessant, sondern auch eine häufig verwendete Ingenieurkeramik, die beispielsweise beim Weltraumteleskop Herschel eingesetzt wird.

Neben Infineon arbeiten auch andere Halbleiterhersteller an SiC-Lösungen für den Automobilbereich. Münzer sieht sein Unternehmen allerdings „in einer führenden Position“. Entscheidendes Know-how auf diesem Gebiet hat Infineon im Sommer durch den Zukauf des US-Unternehmens Wolfspeed Power gewonnen. Damit gehören die Bayern zu einem der wichtigsten Anbieter von Leistungshalbleitern auf SiC-Basis. Der Abschluss der Übernahme ist für Ende des Jahres geplant.

Eine Ablösung von Silicium als Basismaterial durch SiC wird aber noch viele Jahre auf sich warten lassen. Der Hauptgrund: die höheren Kosten für den neuen Werkstoff.