STM gründet China-Joint-Venture

Der Chipkonzern STMicroelectronics arbeitet mit dem chinesischen Halbleiter-Konzern Sanan Optoelectronics zusammen. Beide Anbieter gründen in China ein Gemeinschaftsunternehmen für die Herstellung von 200-Millimeter-Siliziumkarbid-Bauelementen. Dazu soll eine Fabrik in China entstehen, wie STM mitteilte.

Für die geplante Zusammenarbeit nehmen STM und Sanan insgesamt 3,2 Milliarden US-Dollar (3 Mrd Euro) in die Hand, mehr als zwei Drittel davon werden in den nächsten fünf Jahren investiert. Die Unternehmen setzen auch auf Subventionen der chinesischen Regierung.

In der im chinesischen Chongqing geplanten Fabrik soll die Produktion im vierten Quartal 2025 beginnen, bis 2028 sollen die Kapazitäten vollständig ausgebaut sein. Das Gemeinschaftsunternehmen werde die Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen, hieß es weiter.

Parallel dazu will Sanan eine weitere neue Produktionsstätte für 200-mm-SiC-Substrate errichten und betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures weiter zu decken.

Siliziumkarbid wird unter anderem in Elektroautos eingesetzt. Die Härte und chemischen Eigenschaften des Werkstoffs mit der chemischen Formel SiC ermöglichen geringere Leistungsverluste, so dass Elektroautos mit der gleichen Ladeleistung weiter fahren können.

STM-Chef Jean-Marc Chery geht davon aus, bis 2030 einen Umsatz von 5 Milliarden Euro mit der SiC-Technologie erzielen zu können. China gilt dabei als bedeutender Markt, die Zahl der Elektroautos wächst dort rasant. (dpa/mer)

Aus dem Datencenter:

Markt für Automotive-Halbleiter